تاثیر ضخامت کاتد آلومینیوم بر عملکرد دیود نور گسیل آلی

در این تحقیق، دیودهای نور گسیل آلی (oleds) با ساختار glass/ito/pedot:pss/alq3/al ساخته شدند. در دیودها از آلومینیوم به عنوان کاتد استفاده شد و تاثیر ضخامت 60، 80 و 100 نانومتری این لایه بر عملکرد دیودها بررسی شد. ساختار لایه­ های آلومینیوم توسط پراش پرتو ایکس (xrd)، میکروسکپ الکترونی روبشی گسیل میدانی (fesem) مطالعه شدند. نتایج مشخصه یابی ساختاری نشان داد که لایه با ضخامت 80 نانو متر دارای ساختار بس بلوری مکعبی با قله در راستای صفحه  (111) است. مشخصه یابی جریان – ولتاژ و طیف سنجی نورگسیل دیودها انجام شد. بطور کلی افزایش ضخامت لایه آلومینیوم به بیش از 60 نانومتر باعث کاهش ولتاژ آستانه و افزایش شدت طیف گسیلی دیودها شده است.

effect of aluminum cathode thickness on organic light emitting diode performance

in this research, organic light emitting diodes (oleds) with glass/ito/pedot:pss/alq3/al structure were fabricated. in the diodes, aluminum was used as the cathode and the effect of the thickness of 60, 80 and 100 nm of this layer on the performance of the diodes was investigated. the structure of aluminum layers was studied by x-ray diffraction (xrd), field emission scanning electron microscope (fesem). the structural characterization results showed that the layer with a thickness of 80 nm has a polycrystalline in a cubic crystal structure with preferred orientations along (111). the current-voltage characterization and light emission spectroscopy of diodes were performed. in general, increasing the thickness of the aluminum layer to more than 60 nm has reduced the threshold voltage and increased the intensity of the emission spectrum of the diodes.