طراحی نانو سیم افقی جهت افزایش جذب نور در سلول خورشیدی سیلیکونی

در این مقاله ، اثرات هندسه و مکان قرارگیری نانوسیم های سیلیکونی مثلثی فوق نازک افقی، برعملکرد سلول های خورشیدی بررسی شده است. دو روش متفاوت برای بهبود چگالی جریان در سلول های خورشیدی نانوسیم سیلیکونی  مطرح شده است. در روش اول، یک آرایه نیمه دوره ای برای به بهره بهتر از اثر آنتن نوری استفاده می شود. دومین روش دستیابی به جذب بیشتر نور، استفاده از چندین نانوسیم با هندسه مختلف است. مجموعه ای از نانوسیم های نامنظم که بهینه شده است، در مقایسه با سایر ساختارهای باند پهن دارای ویژگی های بهتری هستند. محاسبات نشان می­دهد، نانوسیم مثلث بی­قاعده با جریان اتصال کوتاه (ma/cm2)8.9  و 69.37٪ افزایش نسبت به مدل فیلم نازک،برترین هندسه در بین مدل­های نامبرده است. با استفاده از نانوسیم­های نامنظم ، می­توان جذب در سلول های خورشیدی را بدون استفاده از مواد جاذب بیشتر افزایش داد.

design of horizontal nano wire to increase light absorption in silicon solar cell

in this paper, the effects of the geometry and location of ultra-thin horizontal triangular silicon nanowires on the performance of solar cells have been investigated. two different methods have been proposed to improve the current density in silicon nanowire solar cells. in the first method, a semi-periodic array is used to take better advantage of the optical antenna effect. the second method of obtaining more light absorption is to use several nanowires with different geometry.a set of optimized irregular nanowires has better properties compared to other broadband structures. calculations show that the irregular triangle nanowire with a short circuit current 8.9 (ma/cm2) and 69.37% increase compared to the thin film model is the best geometry among the mentioned models. by using irregular nanowire, it is possible to increase the absorption of solar cells without using more absorbent materials.