افزایش گاف باند فوتونیکی در بلورهای فوتونی یک بعدی عایق-عایق

هدف این مقاله، افزایش شکاف باند فوتونیکی در بلورهای فوتونی یک‌بعدی عایق-عایق می‏باشد که با تغییر ضریب‏های شکست لایه‏ ها و نیز تغییر ضخامت آن‏ها این امر محقق شده است. در این کار، ساختار پیشنهادی برای طیف طول‌موج‌های ناحیه مرئی(350nm-750nm) مورد مطالعه قرار گرفته است. برای تحلیل ساختار از روش ماتریس انتقال(tmm) استفاده شده است. با تغییر در ضریب‏های شکست لایه ‏ها محدوده‏ بازتابندگی به میزان 2.63 برابر افزایش داشته است. هم‏چنین با ایجاد اختلال در ضخامت هر دولایه ‏ها و با انتخاب مرتبه اختلال مناسب محدوده‏ ی‏ بازتابندگی به میزان قابل توجهی افزایش داده شده است . این در حالی است  که با ایجاد نقص در ساختار، محدوده‏ ی‏ بازتابندگی بسیار گسترده‏تری حتی فراتر از ناحیه مرئی بدست آمد که می‏تواند در طول‏ موج‏ مخابراتی(1.55um) نیز کاربرد داشته باشد.

enhancement of photonic band gap in a 1d dielectric-dielectric photonic crystals

the aim of this article is to increase the photonic band gap in one-dimensional dielectric-dielectric photonic crystals, which has been achieved by changing the refractive indices of the layers and also changing their thickness. in this work, the proposed structure has been studied for the wavelength spectrum of the visible region (350nm-750nm). the transfer matrix method (tmm) has been used to analyze the structure. with the change in the refractive indices of the layers, the range of reflectivity has increased by 2.63 times. also, by creating a disturbance in the thickness of each double layer and by choosing the appropriate disturbance order, the range of reflectivity has been increased significantly. meanwhile, by creating defects in the structure, a much wider range of reflectance was obtained even beyond the visible region, which can also be used in the telecommunication wavelength (1.55um).