بهبود بازدهی سلول های خورشیدی لایه نازک cztsse با استفاده از لایه غیرفعال ساز سطح پشتی al2o3 بهینه شده

در این مقاله، اثر لایه غیرفعال ساز سطح پشتی al2o3 بر بازدهی سلول‌های خورشیدی cu2znsn(s,se)4 (cztsse) بررسی می‌شود. برای دستیابی به این امر، به مقایسه یک سلول خورشیدی آزمایشگاهی cztsse و یک سلول cztsse پیشنهادی با یک لایه غیرفعال ساز سطح پشتی al2o3 اضافه شده پرداخته ایم. این مطالعه نشان می‌دهد که حضور لایه غیرفعال ساز‌ در محل اتصال al2o3/cztsse به طور قابل‌توجهی بر پارامترهای فتوولتائیک سلول cztsse پیشنهادی تاثیر می‌گذارد. نتایج نشان می دهد که بهینه سازی پهنای گام و عرض دهانه لایه غیرفعال ساز سطح پشتی al2o3 عملکرد سلول cztsse را بهبود می بخشد. با توجه به کاهش تلفات بازترکیبی در اتصال پشتی و بهبود بازتابش داخلی در سطح پشتی سلول‌ خورشیدی cztsse ارائه شده در مقایسه با سلول خورشیدی آزمایشگاهی، چگالی جریان اتصال کوتاه و ولتاژ مدار باز به ترتیب ma/cm2 9/3 و mv 20 بهبود یافته‌اند. در نهایت، یک سلول خورشیدی cztsse با لایه غیرفعال ساز بهینه al2o3، بازده 45/13% را نشان داد که افزایش 2/2% را در مقایسه با سلول خورشیدی آزمایشگاهی cztsse نشان می دهد.