|
|
|
|
بررسی و شبیه سازی ترانزیستور گالیم نیتراید (gan)با تحرک الکترونی بالا با استفاده از نرم افزار سیلواکو
|
|
|
|
|
|
|
|
نویسنده
|
غلامی میلاد ,معصومی سید محمد امین ,رادملکشاهی مزدک
|
|
منبع
|
اولين كنفرانس بين المللي پژوهش ها و فناوري هاي نوين در مهندسي برق - 1401 - دوره : 1 - اولین کنفرانس بین المللی پژوهش ها و فناوری های نوین در مهندسی برق - کد همایش: 01221-16723 - صفحه:0 -0
|
|
چکیده
|
در این مقاله به بررسی و شبیه سازی ترانزیستورهای گالیم نیتراید با تحرک الکترونی بالا پرداخته می‌شود. ابتدا به معرفی این ترانزیستورها و مزایای استفاده از آن می‌پردازیم. سپس مشخصه‌های این ترانزیستورها و اثرات خودگرمایی در دو حالت بدون لایه آلومینیوم نیتراید و با لایه آلومینیوم نیتراید به عنوان هیت سینک بررسی می‌شود. در انتها به مقایسه مشخصه‌های دو افزاره می‌پردازیم.
|
|
کلیدواژه
|
ترانزیستور(gan hemt)، اثر خودگرمایی، شبیه سازی، هیت سینک، سیلواکو.
|
|
آدرس
|
, iran, , iran, , iran
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Authors
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|