|
|
|
|
طراحی، تحلیل و شبیه سازی یک ترانزیستور اثرمیدانی نیمه هادی اکسیدفلزی دوگانه بهبود یافته در نرم افزار tcad silvaco
|
|
|
|
|
|
|
|
نویسنده
|
محمدی حسین ,ایمانی سجاد ,رادملکشاهی مزدک ,منصوری مهدی
|
|
منبع
|
اولين كنفرانس بين المللي پژوهش ها و فناوري هاي نوين در مهندسي برق - 1401 - دوره : 1 - اولین کنفرانس بین المللی پژوهش ها و فناوری های نوین در مهندسی برق - کد همایش: 01221-16723 - صفحه:0 -0
|
|
چکیده
|
- در این مقاله به ارائه و بررسی مقایسه ای یک ترانزیستوراثر میدانی نیمه هادی اکسید فلزی دوگانه(dmosfet)پرداخته شده است که با استفاده از نرم افزار tcad silvacoطراحی و شبیهسازی شده است. این ترانزیستور به ازای سناریوهای گوناگون دفیوژن مورد بررسی قرار گرفته است . ترازیستور ارائه شده دارای عرض کانال 20 میکرومتری است و ولتاژ شکست و مقاومت حالت روشن آن به ترتیب 719 ولت و 383میلی اهم بر سانتیمتر مربع میباشد. هم چنین نرخ i_روشن/i_خاموش آن حدود 493.25است. بنابراین باتوجه به مشخصههای بسیار مناسب افزاره طراحی شده از این ترازیستور در بسیاری از مدارت الکترونیکی و تجهیزات توان میتوان بهره برد
|
|
کلیدواژه
|
ترازیستور اثرمیدان، دفیوژن دوگانه، عرض کانال، ولتاژ شکست.
|
|
آدرس
|
, iran, , iran, , iran, , iran
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Authors
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|