|
|
|
|
شبیه سازی نحوه تشکیل کانال در ترانزیستور سیلیکون روی الماس 2 لایه با استفاده از روش کوانتومی و مقایسه آن با روش کلاسیک
|
|
|
|
|
|
|
|
نویسنده
|
رئیسی آرش ,دقیقی آرش ,خسروی فارسانی رضا
|
|
منبع
|
اولين كنفرانس بين المللي پژوهش ها و فناوري هاي نوين در مهندسي برق - 1401 - دوره : 1 - اولین کنفرانس بین المللی پژوهش ها و فناوری های نوین در مهندسی برق - کد همایش: 01221-16723 - صفحه:0 -0
|
|
چکیده
|
در این مقاله با توجه به بهبود برخی پارامترها ترانزیستور سیلیکون روی الماس دولایه معرفی شده است که عایق اول الماس و عایق دوم دی اکسید سیلیکون می باشد. ما با استفاده از نرم افزار ise-tcad شبیه سازی های کلاسیک و کوانتومی را انجام داده و مکان تشکیل کانال در ترانزیستئر را در این دوحالت بررسی و مقایسه خواهیم کرد. و می خواهیم ببینیم چه پارامترهایی در مکان تشکیل کانال در ترانزیستور موثر هستند. مکان تشکیل کانال در ترانزیستور جهت مدل سازی های فیزیکی بسیار حائز اهمیت می باشد. مدل استفاده شده جهت شبیه سازی های کوانتومی، مدل گرادیان چگالی می باشد.
|
|
کلیدواژه
|
مکان تشکیل کانال، شبیه سازی کوانتومی و کلاسیکی ترانزیستور، ترانزیستور سیلیکون روی الماس دو لایه، مدل گرادیان
|
|
آدرس
|
, iran, , iran, , iran
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Authors
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|