موجبر هایبریدی سیلیکونی-گرافنی با پوشش عایقی با طول انتشار بلند و سطح موثرمد بهبود یافته

دراین مقاله یک ساختار موجبر هایبریدی سیلیکون-گرافن به صورت دوبعدی مورد بررسی قرار گرفته است، در این ساختار یک لایه دی الکتریک با ضریب دی الکتریک نسبی بالا بر روی لایه گرافن با زیرلایه سیلیکون قرارداده شده، دراین ساختار با تنظیم پذیری گرافن می توان تحدید نوری مناسبی در لایه گپ دی اکسید سیلیون(sio2) ایجاد کرده تا بتوان طول انتشار به نسبت بلند به حداکثر مقدار 1/760 میکرومتر با سطح موثرمد بهبودیافته با حداقل سطح موثرمد به مقدار 018/0 دست یافت. در این ساختار پیشنهادی توان نوری و ضریب شایستگی(fom) موجبر مورد ارزیابی قرار گرفته که نتایج نشان می دهد این دستگاه عملکرد مناسبی نسبت به دیگر موجبرها داشته است.