|
|
|
|
ترانزیستور tfet ، ساختار فیزیکی، عملکرد و بهترین حالت بهینه جریان و ولتاژ
|
|
|
|
|
|
|
|
نویسنده
|
ملکشاهی مزدک راد ,فتاحی خواه امید ,اصغری نوید ,بی باک هانیه السادات
|
|
منبع
|
اولين كنفرانس بين المللي پژوهش ها و فناوري هاي نوين در مهندسي برق - 1401 - دوره : 1 - اولین کنفرانس بین المللی پژوهش ها و فناوری های نوین در مهندسی برق - کد همایش: 01221-16723 - صفحه:0 -0
|
|
چکیده
|
اخیرا کوچک سازی ترانزیستور هایcmos به اندازه های زیر 100nm برای رسیدن به سرعت بیشتر با مشکلات زیادی (افزایش سوئیچینگ، جریان نشتی بالا، اثرات کانال کوتاه و ...) روبرو شده است، از این رو ترانزیستور اثرمیدان تونلی tfet یکی از بهترین نیمه هادی های در حال حاضر برای جایگزینی ترانزیستور های اثرمیدان mosfet است، در این مقاله ما با ایجاد تغییر در جنس ساختار ترانزیستور به بررسی حالتی بهینه جهت افزایش جریان دهیtfet در ولتاژهایی متفاوت میپردازیم.
|
|
کلیدواژه
|
ترانزیستور اثرمیدان تونلی، کانال، سورس، درین، ژرمانیم، سیلیسیوم
|
|
آدرس
|
, iran, , iran, , iran, , iran
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Authors
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|