>
Fa   |   Ar   |   En
   بهبود حاصلضرب مصرف توان در تاخیر، نسبت جریان و فرکانس قطع ترانزیستور اثر میدانی نانولوله کربنی با تغییر الگوی توزیع ناخالصی در درین  
   
نویسنده نادری علی
منبع اولين كنفرانس بين المللي پژوهش ها و فناوري هاي نوين در مهندسي برق - 1401 - دوره : 1 - اولین کنفرانس بین المللی پژوهش ها و فناوری های نوین در مهندسی برق - کد همایش: 01221-16723 - صفحه:0 -0
چکیده    در این مقاله عملکرد ترانزیستور اثر میدانی نانولوله کربنی بهبود داده شده است. برای مطالعه و شبیه‌سازی ترانزیستور اثر میدانی نانولوله کربنی از حل عددی خودسازگار معادله‌های پواسون- شرودینگر و روش تابع گرین غیرتعادلی استفاده شده است. نتایج شبیه‌سازی نشان می‌دهد که در سمت درین با اعمال ناخالصی با غلظت کم نزدیک به کانال و با غلظت زیاد نزدیک به اتصال درین، نسبت جریان روشن به خاموش افزاره افزایش می یابد. علاوه بر این دو مولفه‌ مهم ترانزیستورهای اثر میدانی نانولوله کربنی، حاصل ضرب توان در تاخیر(pdp) و زمان تاخیر(τ) نیز بهبود خواهند یافت. فرکانس قطع افزاره نیز در ساختار پیشنهادی بیشتر از ساختار پایه خواهد بود
کلیدواژه - ترانزیستور اثر میدانی نانولوله کربنی ، جریان حالت خاموش، حاصل ضرب توان در تاخیر، روش تابع گرین غیرتعادلی
آدرس , iran
پست الکترونیکی a.naderi@eng.ikiu.ac.ir
 
     
   
Authors
  
 
 

Copyright 2023
Islamic World Science Citation Center
All Rights Reserved