|
|
|
|
بررسی تاثیر آلایش های ldd ، halo,retrograde بر ولتاژ آستانه و اثر کانال کوتاه (dibl ) در ترانزیستور 90 نانومتری pmos
|
|
|
|
|
|
|
|
نویسنده
|
رضایی آرش ,رادملکشاهی مزدک
|
|
منبع
|
اولين كنفرانس بين المللي پژوهش ها و فناوري هاي نوين در مهندسي برق - 1401 - دوره : 1 - اولین کنفرانس بین المللی پژوهش ها و فناوری های نوین در مهندسی برق - کد همایش: 01221-16723 - صفحه:0 -0
|
|
چکیده
|
– با تغییر مقیاس دادن در ترانزیستور ها به علت دست یافتن به عملکرد بهتر و همچنین کم شدن هزینه ساخت، آثار کانال کوتاه باعث اختلال در عملکرد افزاره می شوند به همین دلیل در این مقاله به ارزیابی یک ترانزیستور ماسفت نوع p با طول کانال 90 نانومتر می پردازیم، نشان می دهیم که با بررسی تغییرات ناخالصی در آلایش های هاله گون halo و ldd و retrograde می توانیم تاثیرات کانال کوتاه را در ترانزیستور ماسفت بهبود ببخشیم.
|
|
کلیدواژه
|
آلایش، ترانزیستور pmos ، کانال کوتاه، نرخ داپینگ.
|
|
آدرس
|
, iran, , iran
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Authors
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|