|
|
|
|
شبیه سازی و بهینه سازی ترانزیستور اثر میدانی فلز اکسید نیمه رسانا از نوع nmos
|
|
|
|
|
|
|
|
نویسنده
|
شهابی مصیب ,شایسته محمد رضا
|
|
منبع
|
اولين كنفرانس بين المللي پژوهش ها و فناوري هاي نوين در مهندسي برق - 1401 - دوره : 1 - اولین کنفرانس بین المللی پژوهش ها و فناوری های نوین در مهندسی برق - کد همایش: 01221-16723 - صفحه:0 -0
|
|
چکیده
|
در این مقاله به شبیه سازی و بهینه سازی ترانزیستور اثر میدانی فلز_اکسید_نیمه رسانا پرداخته میشود. در ابتدا مراحل شبیه سازی در سیلواکو بیان می شود. سپس منحنی (v_gs-i_d) این افزاره را استخراج میشود. پس از آن به تغییرات دما در فرآیند ایجاد اکسید گیت مورد بررسی قرار می‌گیرد. منحنی (v_gs-i_d) بر حسب این تغییرات دما را در پروسه ایجاد اکسید گیت را به دست می آوریم. تغییرات انرژی در فرآیند دوپینگ ایجاد کانال p این افزاره مورد بررسی قرار می‌گیرد و منحنی (v_gs-i_d) بر حسب این تغییرات انرژی را نیز به دست خواهیم آورد و در نهایت تغییرات انرژی در کاشت یونی مورد بررسی قرار خواهد گرفت. پس از آن با توجه به نتایج به دست آمده یک ترانزیستور بهینه شده نسبت به شبیه‌سازی اولیه را طراحی و مورد بررسی قرار خواهد گرفت. تمام مراحل شبیه سازی با استفاده از نرم‌افزار سیلواکو انجام میشود.
|
|
کلیدواژه
|
mosfet ،بهینه سازی، شبیه سازی، سیلواکو، ترانزیستور، nmos.
|
|
آدرس
|
, iran, , iran
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Authors
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|