بررسی مورفولوژی و خواص مغناطیسی نانوسیم های مغناطیسی nip تولیدشده به روش رسوب الکتروشیمیایی پس از فرایند آندایزینگ آلیاژ آلومینیوم 1100

تولید نانوسیم‌های مغناطیسی به کمک بستر متخلخل ایجاد شده به روش آندایزینگ یکی از موضوعات مهم در حوزه علم نانو و مهندسی سطح می‌باشد. در این پژوهش ابتدا با کنترل دقیق دما و شرایط، آندایزینگ در محیط اسید اگزالیک در ولتاژ 90 ولت انجام شد. سپس با توجه به ماهیت اکسیدی و غیر متخلخل بودن لایه سدی (لایه چسبنده به سطح) با استفاده از کاهش ولتاژ در قسمت نهایی پوشش‌دهی آندایزینگ ضخامت این لایه به حداقل مقدار ممکن تقلیل یافت. بررسی‌های xrd و eds نشان داد که بستر لایه تولیدی متخلخل ماهیت اکسیدی و آمورف دارد. پوشش اکسیدی در این پژوهش حدود 53 میکرومتر ضخامت داشت. در مرحله دوم به کمک روش رسوب الکتروشیمیایی نانوسیم های نیکل-فسفر با خاصیت مغناطیسی بسیار مناسب درون لایه آندایز ایجاد شدند. نانوسیم های درون پوشش آندایزینگ دارای ماهیت مخلوط کریستالی-آمورف بودند. بررسی خواص مغناطیسی به کمک آزمون vsm انجام گردید و مشاهده شد که وادارنگی مغناطیسی این نانوسیم ها قابل توجه است و نشان می دهد که این نانوسیم ها مواد مغناطیسی سختی هستند.