ارزیابی خواص ساختاری، اپتیکی و ترشوندگی لایه نازک sicon اعمالی به روش کندوپاش مغناطیسی

در این تحقیق لایه نشانی لایه نازک سیلیکون کربن اکسی نیترید روی زیرلایه سیلیکونی به روش کندوپاش مغناطیسی رادیو فرکانسی صورت گرفت. آزمون پراش پرتو ایکس به روش گریزینگ به منظور بررسی ساختار لایه نازک انجام شد. همچنین آزمون رامان با هدف تعیین حضور یا عدم حضور نانوکریستال ها در ساختار انجام شد. از آزمون بازتاب کلی تضعیف شده تبدیل فوریه مادون قرمز به منظور شناسایی پیوندهای شیمیایی سطحی استفاده شد. با استفاده از الیپسومتری و آزمون تبدیل فوریه مادون قرمز، تعیین پارامترهای اپتیکی لایه نازک صورت گرفت. آزمون میکروسکوپی نیروی اتمی برای بررسی توپوگرافی و زبری سطح لایه نازک انجام شد. در نهایت زوایه تماس قطره آب روی سطح لایه نازک به وسیله تصویربرداری با دوربین دیجیتال تعیین شد. نتایج آزمون پراش پرتو ایکس به روش گریزینگ تشکیل ساختار آمورف در لایه نازک را اثبات نمود. همچنین آزمون رامان عدم تشکیل نانوکریستال های گرافیت در ساختار پوشش را تعیین نمود. نتایج آزمون الیپسومتری نشان داد که ضریب شکست سیلیکون کربن اکسی نیترید اعمالی در طول موج 4 میکرون برابر با 43/1 می باشد. آزمون میکروسکوپی نیروی اتمی نشان داد، لایه نازک سیلیکون کربن اکسی نیترید با rms برابر با nm 01/1 تشکیل می شود. اندازه گیری زاویه تماس قطره آب مشخص نمود که لایه نازک سیلیکون کربن اکسی نیترید آب دوست می باشد.