|
|
|
|
آنتن میله‌ای دی‌الکتریک با بهره بالا تغذیه شده توسط یک دوقطبی مغناطیسی الکتریکی برای کاربرد در برنامه‌های 5g
|
|
|
|
|
|
|
|
نویسنده
|
عشوری محمدحسین ,فاخته سعید
|
|
منبع
|
اولين كنفرانس بين المللي ايده هاي نو در مهندسي برق - 1402 - دوره : 1 - اولین کنفرانس بین المللی ایده های نو در مهندسی برق - کد همایش: 02230-21684 - صفحه:0 -0
|
|
چکیده
|
در این پژوهش یک آنتن میله‌ای دی‌الکتریک پهن باند جدید با قطبش خطی معرفی شده است. با استفاده از یک آنتن دوقطبی مغناطیسی الکتریکی با قطبش خطی امواج نشتی داخل میله دی‌الکتریک انتشار می‌یابد، با استفاده از این تکنیک توانستیم به آنتن دوقطبی مغناطیسی الکتریکی با بهره بسیار بالا به دست آوریم. در واقع، با استفاده از این روش ماهیت آنتن دوقطبی مغناطیسی الکتریکی حفظ می‌شود و مزیت بهره بالای میله دی‌الکتریک به طور هم‌زمان مورداستفاده قرار گرفته است. نتایج شبیه‌سازی‌شده تایید می‌کند که آنتن پیشنهادی پهنای باند امپدانسی 59.02 درصد را از 2.09 گیگاهرتز تا 3.84 گیگاهرتز نمایش می‌دهد. بهره بدست آمده بین 8 تا 14.38 دسی‌بل نیز به دست می‌آید. همچنین نقطه بیشینه نسبت جلو به عقب برابر با 39.78 دسی‌بل در فرکانس 3.2 گیگاهرتز می باشد.
|
|
کلیدواژه
|
آنتن بهره بالا، آنتن میله ای دی الکتریک، دوقطبی مغناطیسی الکتریکی، g.5
|
|
آدرس
|
, iran, , iran
|
|
پست الکترونیکی
|
saeed.fakhte@gmail.com
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Authors
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|