γ-ga2o3 مطالعه خواص ساختاری، الکترونی و اپتیکی نانوپودرهای نیمرسانای

Ga2o3 -به عنوان یک نیمرسانای ترکیبی با گاف نواری خیلی پهن (ev 3/5-9/4)، ولتاژ شکست الکتریکی بالا، دارا بودن خواص فیزیکی منحصر به فرد  به خصوص در الکترونیک، آشکارسازهای نوری فرابنفش و سلول‌های خورشیدی توجه زیادی را به خود جلب کرده است. در سال‌های اخیر تحقیقات گسترده‌ای بر روی فاز پایدار β- ga2o3 و ساخت انواع نانوساختارهای β- ga2o3 صورت گرفته است و توجه کمتری به دیگر فازهای ناپایدارα- ga2o3 ، δ- ga2o3 و γ- ga2o3 شده است، از این‌رو پیدا کردن روش‌های موثر سنتز فازهای ناپایدار برای تحقیقات در مورد خواص فیزیکی و شیمیایی آنها و همچنین دستیابی به خواص منحصر به فرد آن‌ها در مقیاس نانو و یافتن کاربردهای بالقوه در تکنولوژی مدرن از اهمیت بالایی برخوردار است. در این تحقیق، ساخت نیمرسانای γ-ga2o3 به روش هیدروترمال به منظور دستیابی به فاز پایدار γ-ga2o3 انجام شد. نمونه‌‌های مورد مطالعه با استفاده از دستگاه پراش پرتو x (xrd)، میکروسکوپ الکترونی روبشی گسیل میدانی (fesem)، طیف نگار uv-vis و طیف سنجی تبدیل فوریه فروسرخ  (ftir) مشخصه‌یابی شدند. مطالعه‌ی الگو‌های پرتو x  (xrd)، روی نمونه‌ها نشان دهنده‌ی تشکیل ساختار γ-ga2o3 با قله‌ی ارجح (311) مربوط به فاز مکعبی می‌باشد.

study of structural, electronic and optical properties of γ-ga2o3 semiconductor nanopowders

ga2o3 as a compound semiconductor with a very wide bandgap (4.9-5.3 ev), high electrical breakdown voltage, having unique physical properties, especially in electronics, ultraviolet light detectors and solar cells, has attracted a lot of attention. in recent years, extensive research has been done on the stable phase β- ga2o3 and the construction of various β- ga2o3 nanostructures and less attention has been paid to other unstable phases α- ga2o3, δ- ga2o3 and γ- ga2o3, hence finding effective methods of synthesizing unstable phases for research on their physical and chemical properties as well as achieving their unique properties in the scale nano and finding potential applications in modern technology is of great importance. in this research, γ- ga2o3 semiconductor was manufactured by hydrothermal method in order to achieve a stable γ-ga2o3 phase. the studied samples were characterized using x-ray diffraction (xrd), field emission scanning electron microscope (fesem), uv-vis spectrometer and fourier transform infrared spectroscopy (ftir). the study of x-ray patterns (xrd) on the samples shows the formation of γ- ga2o3 structure with the preferred peak (311) corresponding to the cubic phase.