|
|
|
|
تاثیر لایه انتقال دهنده حفره پلی(9- وینیل کربازول) بر عملکرد دیود نورگسیل پروسکایتی
|
|
|
|
|
|
|
|
نویسنده
|
صادقی قیری محمدرضا ,رستمی علی اکبر ,مهاجرانی عزالدین
|
|
منبع
|
سي امين كنفرانس ملي اپتيك و فوتونيك ايران و شانزدهمين كنفرانس ملي مهندسي و فناوري فوتونيك - 1402 - دوره : 30 - سی امین کنفرانس ملی اپتیک و فوتونیک ایران و شانزدهمین کنفرانس ملی مهندسی و فناوری فوتونیک - کد همایش: 02231-50171 - صفحه:0 -0
|
|
چکیده
|
دیودهای ساطع نور پروسکایت (peled) به دلیل مزایایی که دارند توجه گسترده‌ای را به خود جلب کرده‌اند .لایه انتقال دهنده حفره نقش مهمی در عملکرد این افزارهها دارد. در این مقاله، به بررسی تاثیر لایه انتقال دهنده حفره پلی(9- وینیل کربازول)(pvk) روی لایه پلی (3،4-اتیلن دی اکسی تیوفن)-پلی (استایرن سولفونات) (pedot:pss) در دیود نورگسیل پروسکایتی (mapbbr3 ) پرداختیم. با اضافه شدن لایه pvk شدت روشنایی افزاره از 3000 به 3900 رسید که نشان دهنده این است که لایه pvk از بازترکیبهای غیرتابشی که در سطح مشترک بین pedot:pss و mapbbr3 وجود داشته جلوگیری میکند.
|
|
کلیدواژه
|
پروسکایت، پلی(9- وینیل کربازول)، دیود نورگسیل
|
|
آدرس
|
, iran, , iran, , iran
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
the effect of poly(9-vinylcarbazole) hole transporter layer on the performance of perovskite light emitting diode
|
|
|
|
|
Authors
|
|
|
Abstract
|
perovskite light emitting diodes (peled) have attracted wide attention due to their advantages. the hole transport layer plays an important role in the performance of these devices. in this article, to investigate the effect of poly(9-vinylcarbazole) (pvk) hole transport layer on poly(3,4-ethylenedioxythiophene)-poly(styrenesulfonate) (pedot:pss) layer in perovskite light emitting diode with has been investigated. with the addition of the pvk layer, the brightness of the device increased from 3000 to 3900 ,which indicates that the pvk layer prevent from the non-radiative recombination that existed at the interface between pedot:pss and mapbbr3
|
|
Keywords
|
perovskite ,pvk ,light emitting diode
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|