>
Fa   |   Ar   |   En
   مطالعه ابتدا به ساکن خواص الکترونی و اپتیکی آلومنیوم نیترید  
   
نویسنده ابراهیمی لوشاب ساحل ,مینائی بابک ,کتابی احمد
منبع سي امين كنفرانس ملي اپتيك و فوتونيك ايران و شانزدهمين كنفرانس ملي مهندسي و فناوري فوتونيك - 1402 - دوره : 30 - سی امین کنفرانس ملی اپتیک و فوتونیک ایران و شانزدهمین کنفرانس ملی مهندسی و فناوری فوتونیک - کد همایش: 02231-50171 - صفحه:0 -0
چکیده    در اینجا اندازه‌گیری غلظت گلوکز در ماتریسی اورموسیلی با استفاده از فناوری طیف سنجی تفکیک زمانی و پالس های لیزر آبی 410 نانومتر معرفی می شود. با وجود یک کمپلکس پلاتینی حساس به اکسیژن به عنوان لایه حسگری و با تعبیه گلوکزاکسیداز برای اکسیداسیون گلوکز، این زیست ‌حسگر سطح گلوکز را به‌صورت غیرمستقیم از طریق اندازه‌گیری طول‌عمر تابش فسفرسانس کمپلکس با توجه به اکسیژن مصرفی در واکنش بدست می‎آورد که توانایی اندازه گیری میزان گلوکز از 30 تا 350 میلی‌گرم بر دسی‌لیتر را دارد. این روش امکان پایش دقیق، پیوسته و قابل اعتماد گلوکز را فراهم می‌آورد و به خدمات و تحقیقات در حوزه زیستی، سلولی و درمانی کمک می‌کند.
کلیدواژه اثرات اکسیتونی ، خواص الکترونی و اپتیکی، گاف نواری، نظریه تابعی چگالی
آدرس , iran, , iran, , iran
 
   ab-initio study of electronic and optical properties of aluminum nitride (aln)  
   
Authors
Abstract    in this paper, using density functional theory (dft), gw approximation, and solving the bethe-salpeter equation the electronic and optical properties of two-dimensional aln structure are investigated. our results show that the single-layer aluminum nitride structure has an indirect band gap, which increases by 4.78 ev due to self-energy corrections resulting from electron-electron interaction. we study the optical properties and excitonic effects of this binary semiconductor using the bethe-salpeter equation approach and applying the g0w0+rpa and g0w0+bse approximations. our results indicate that considering the electron-hole interaction causes the absorption spectrum to shift towards lower energies. in addition, our calculations show that the aluminum nitride single layer, with its wide band gap and high binding energy, can be useful in the design and construction of optoelectronic device.
Keywords excitonic effects ,electronic and optical properties ,band gap ,dft
 
 

Copyright 2023
Islamic World Science Citation Center
All Rights Reserved