طراحی و شبیه سازی یک تقویت کننده کم نویز پهن باند در باند k (18 تا 27 گیگاهرتز)

این مقاله به طراحی و شبیه سازی یک تقویت کننده ی کم نویز در باند k (18 تا 27 گیگاهرتز) با استفاده از فناوری 65 نانومتر سی ماس می پردازد. تقویت کننده ی ارائه شده از ساختار کسکد با بار سلفی استفاده می کند. به منظور افزایش پهنای باند بهره ی خروجی، از فیدبک خازنی مقاومتی و مقاومت سری با بار سلفی طبقه ی کسکد استفاده شده است. در این مدار برای تطبیق امپدانس ورودی علاوه بر فیدبک خازنی مقاومتی، از سلف دژنراسیون و سلف در گیت ترانزیستور ورودی استفاده شده است. در نهایت سیگنال تقویت شده وارد طبقه ی بافر خروجی می شود که تطبیق امپدانس خروجی مناسب را ممکن می سازد. نتایج شبیه سازی پساجانمایی بیانگر بهره ی بیشینه db 12 در محدوده باند k، عدد نویز بین db 43/3 و db 25/4، تلفات بازگشتی ورودی بین db 2/8- و db 55/14- و تلفات بازگشتی خروجی بین db 2/11- و db8/16- می باشد. اندازه ی ایزولاسیون معکوس بزرگ تر از db 43 بوده و iip3 بین dbm 53/3- تا db 21/0 به دست آمده است. این مدار با احتساب پد ها در ابعاد µm 408 در µm 573 به مساحت mm2 23/0 جانمایی شده است که با اتصال به تغذیه ی 1/1 ولت، mw 7/21 توان مصرف می کند.