presenting a two-valley monte carlo model for simulating and analyzing electron behavior in gaas bulk and investigating the effects of electron transitions (gunn effect)

در این مقاله مدلی دو دره ای برای شبیه سازی و تحلیل رفتار الکترون ها درون نیمه هادی از جنس gaas با استفاده از روش مونت کارلو ارائه شده است . در شبیه سازی عوامل مختلفی که در پراکندگی الکترون نقش دارند، از قبیل فونون ها و اتم های ناخالصی در نظر گرفته شده اند و باندهای انرژی را بصورت غیرسهموی و دره های مرکزی و اقماری برای مدل مونت کارلو درنظر-گرفته شده است. رفتار الکترون در درون بالک تحت شرایط مختلف از جمله میدان های ضعیف، قوی و دماهای مختلف در محیط matlab شبیه سازی شده است و پارامترهای ماده از جمله سرعت سوق الکترون ها ، انرژی ، تغییرات جرم موثر ، احتمال حضور الکترون در دره های مرکزی و اقماری و سهم سازوکارهای پراکندگی های الکترونی محاسبه شده است. بیشینه سرعت در دماهای مختلف 100و 200و 300 درجه کلوین بترتیب برابر است با 3.47×105, 2.48×105, and 1.76×105 m/s . همچنین سرعت اشباع الکترون ها 0.95×105 m/sدر غلظت 1×1014 cm-3 بدست آمده است. در در ادامه با توجه به اهمیت اثر گان در ساخت ادواتی که دارای مقاومت منفی هستند به تحلیل و شبیه سازی اثر گان می پردازیم که منجر به هموار شدن فهم عملکرد افزاره های مبتنی بر gaas می شود. برای اعتبار سنجی مدل ارائه شده ، برخی از نتایج حاصل از شبیه سازی مونت کارلو با نرم افزار سیلواکو مقایسه شده است.