شبیه سازی پروسه ساخت ترانزیستور سیلیکون روی الماس دو لایه با کاشت دو مرحله ای نواحی سورس و درین

در این مقاله، برای اولین بار به شبیه سازی ساخت و پیاده سازی فرآیند های سیماس ساختار ترانزیستور سیلیکون روی الماس دو لایه با کاشت دو مرحله ای نواحی سورس و درین پرداخته شده است. این نوع ترانزیستور، شامل دو لایه اصلی عایق اکسید سیلیکون و الماس است. فناوری سیلیکون روی الماس، به عنوان یک جایگزین پیشرفته برای فناوری سنتی سیلیکون روی عایق، مطرح شده است. در این ساختار، الماس به عنوان عایق الکتریکی اول، منتشرکننده گرما و بدنه ترانزیستور بر روی زیر لایه سیلیکونی قرار دارد و لایه عایق دوم، دی اکسید سیلیکون است که بر روی لایه الماس قرار گرفته و از دو طرف به نواحی سورس و درین ترانزیستور محدود شده است. از مزایای این ساختار میتوان به ؛ کاهش دمای کل چیپ، کاهش اثرات کانال کوتاه، کاهش جریان نشتی، اشاره کرد. در این مقاله، با استفاده از نرم افزار شبیه سازی، برای اولین بار به بررسی و مطالعه امکان ساخت ترانزیستور سیلیکون روی عایق دولایه منطبق با فرآیند های سیماس، پرداخته شد و نتایج حاصل از شبیه سازی، موید آن است که ساخت ترانزیستور سیلیکون روی عایق دو لایه، مطابق با مراحل استاندارد سیماس میکروالکترونیک امکان پذیر است.