|
|
|
|
بررسی تاثیر ناخالصی های br، te، po و i بر روی خواص الکترونیکی و نوری سولفید گالیم تک لایه
|
|
|
|
|
|
|
|
نویسنده
|
حسینی المدواری رضیه السادات ,نیری مریم ,فتوحی سمیه
|
|
منبع
|
اولين كنفرانس بين المللي و هفتمين كنفرانس ملي مهندسي برق و سيستم‌هاي هوشمند - 1402 - دوره : 7 - اولین کنفرانس بین المللی و هفتمین کنفرانس ملی مهندسی برق و سیستم‌های هوشمند - کد همایش: 02230-47907 - صفحه:0 -0
|
|
چکیده
|
مقاله حاضر، تاثیر ناخالصی اتم های گروه ششم و هفتم جدول تناوبی بر نانو ساختار سولفید گالیم تک لایه از خانواده مونوکالکوژناید فلز واسطه مورد بررسی قرار می گیرد. ساختار باند، طیف انتقال بایاس صفر و تابع دی الکتریک برای تمام ساختار محاسبه گردید. شبیه سازی در بستر سیاستا و بر مبنای نظریه تابعی چگالی انجام شده است. نتایج شبیه سازی نشان می دهد که حضور ناخالصی گروه ششم و هفتم جدول تناوبی در جایگاه گالیم و گوگرد منجر به تغییرات در انرژی شکاف، تابع دی الکتریک و همچنین طیف تابع انتقال می گردد. به عنوان مثال با قرار گرفتن اتم po در موقعیت اتم گالیم ساختار مغناطیسی می گردد. همچنین در اسپین بالا ساختاری با ماهیت فلز و در اسپین پایین، نیمه هادی مستقیم با شکاف باند حدود 0.478 الکترون-ولت را نشان می دهد. مطالعه ناخالصی در گالیم سولفید تک لایه، فرصت های جدیدی را برای بهینه سازی خواص الکترونیکی و نوری این مواد در ادوات الکترونیکی فراهم می نماید.
|
|
کلیدواژه
|
سولفید گالیم،شکاف باند،طیف انتقال
|
|
آدرس
|
, iran, , iran, , iran
|
|
پست الکترونیکی
|
s.fotoohi@iiau.ac.ir
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Authors
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|