تولید و مشخصه یابی نانوسیم های سیلیکونی: تاثیر زمان سونش

ازآنجا که نانوسیم‌های سیلیکونی می‌توانند به عنوان بلوک های سازنده قطعات الکترونیکی در مقیاس نانو بدون نیاز به امکانات پیچیده و پر هزینه ساخت عمل کنند، یکی از مهم ترین مواد تک بعدی در نظر گرفته می شوند.آنها به دلیل خواص منحصر به فرد نوری، الکتریکی، مکانیکی، حرارتی و شیمیایی توجه‌ زیادی را به خود جلب کرده‌اند. به طور خاص، نانوسیم‌های سیلیکونی به عنوان یک منبع امیدوارکننده در زمینه‌های مختلف مانند اپتیک، فوتونیک، الکترونیک، فوتوولتائیک و حسگری در حال ظهور هستند. در این پژوهش، فرآیند ساخت نانوسیم‌های سیلیکونی نوع p به روش سونش شیمیایی به کمک فلز با موفقیت انجام گرفته است و رشد نانوسیم‌های سیلیکونی به ازای زمان‌های مختلف سونش شیمیایی بررسی شده است. ساختار و مورفولوژی نانو سیم‌های سیلیکونی بر روی بستر سیلیکونی توسط تصویر برداری میکروسکوپ الکترونی روبشی گسیل میدانی بررسی و تایید شده است. نتایج حاصل از پژوهش نشان می‌دهد که با تغییر زمان سونش شیمیایی می‌توان به ساختارهایی با مورفولوژی، ابعاد و جهت گیری‌های متفاوت دست یافت.

production and characterization of silicon nanowires:effect of etching time

chemical properties. in particular, silicon nanowires are emerging as a promising resource in various fields such as optics and photonics, electronics, photovoltaics, and sensing. in this research, the process of manufacturing p-type silicon nanowires by metal-assisted chemical etching has been successfully carried out and the growth of silicon nanowires has been investigated for different times of chemical etching. structure and morphology of silicon nanowires on a silicon substrate. it has been checked and confirmed by field emission scanning electron microscope imaging. the experimental results show that structures with different morphologies, dimensions, and distribution can be achieved by changing the chemical etching time.