شبیه سازی دقیق به روش المان محدود در طراحی و بهینه سازی موجبر استریپ سیلیکونی

در این مقاله، یک روش دقیق و صحیح المان محدود (fem) بر پایه رابطه وردشی برداری میدان –h برای آنالیز موجبرهای اپتیکی برای دستیابی به یک آنالیز موجبرسیلیکونی استفاده شده است. مطالعه خصوصیات موجبر استریپ سیلیکونی توسط بردار میدان –h روش المان محدود صورت گرفته است. بعبارتی مشخصات نمایه های مختلف میدان-h برای بررسی اندازه حدی چنین موجبرهای مورد مطالعه قرار گرفته است. طراحی و بررسی خصوصیت موجبری شامل یک نانوسیم سیلیکونی با تکنولوژی سیلیکون بر روی عایق (soi)انجام شده است.

rigorous simulation by finite element method in silicon strip waveguide design and optimization

in this paper, a rigorous, accurate and efficient finite element method (fem) based on vector h-field variational formulation has been implemented for the analysis of optical wave guides.this method has been employed with the exploitation of the accurate modal solutions obtained from the finite element method. the silicon strip waveguide has been studied deeply by the use of the vector h-field finite element method. the characteristics of the modal h-field profile will be studied in detail, in doing so the critical size of such waveguides can be determined. the design and investigation of the waveguide characteristics of a silicon nanowire with silicon-on-insulator (soi) technology has been studied.