|
|
|
|
نیمه‌رساناهای β-ga2o3 با شکاف نوار فراپهن: فرصت‌ها و چالش‌ها
|
|
|
|
|
|
|
|
نویسنده
|
جمالی حسین ,احمدی پیدانی راحله
|
|
منبع
|
دوازدهمين كنفرانس بين المللي مهندسي مواد و متالورژي - 1402 - دوره : 12 - دوازدهمین کنفرانس بین المللی مهندسی مواد و متالورژی - کد همایش: 02231-28453 - صفحه:0 -0
|
|
چکیده
|
فناوری کنونی با رواج الکترونیک قدرت مشخص می‌شود، که به طرز فوق‌العاده‌ای درحال فراگیری و تکامل است. الکترونیک قدرت بخش جدایی‌ناپذیر تمام حوزه‌های حیاتی انرژی الکتریکی می‌باشد. درحال حاضر، ادوات قدرت نیمه‌رسانا به‌طور گسترده‌ای مورد استفاده قرار می‌گیرند. اگرچه سیلیکون طی سال‌ها بر صنعت نیمه‌رسانای قدرت تسلط داشته است، اما ماده مناسبی برای تحقق ادوات قدرت ایده‌آل نیست. بر این اساس، نسل بعدی نیمه‌رساناها، یعنی مواد با شکاف نوار پهن (wbg) و شکاف نوار فراپهن (uwbg) به‌منظور جایگزینی سیلیکون در حال بررسی هستند. فاز بتای اکسید گالیوم (β-ga2o3) بر جدیدی از خانواده نیمه‌رساناهای uwbg است که در این سال‌ها به سرعت مورد توجه قرار گرفته است. در این مقاله، ابتدا مروری بر معرفی نیمه‌رساناها و مقایسه عملکرد انواع نیمه‌رساناهای با شکاف نوار فراپهن بیان می‌شود. سپس، به بررسی ساختار بلوری و نواری، آلاینده‌ها و نقص‌ها، روش‌های تولید، چالش‌ها و فرصت‌های پیش‌روی بتاگالیا (β-ga2o3) به‌عنوان یک ماده امیدوارکننده خواهیم پرداخت.
|
|
کلیدواژه
|
الکترونیک قدرت، نیمه‌رسانا، شکاف نوار فراپهن، بتا گالیا (β-ga2o3)
|
|
آدرس
|
, iran, , iran
|
|
پست الکترونیکی
|
blue13mehr@gmail.com
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
ultrawide bandgap β-ga2o3 semiconductors: opportunities and challenges
|
|
|
|
|
Authors
|
|
|
Abstract
|
current technology is characterized by power electronics extension, which is growing and evolving tremendously. power electronics is essential part of all vital areas of electrical energy. at present, semiconductor power devices are widely used. although silicon has dominated the power semiconductor industry for years, it is not a suitable material for realizing ideal power devices. accordingly, the next generation of semiconductors, i.e., wide bandgap (wbg) and ultrawide bandgap (uwbg) materials, are being investigated to replace silicon. beta phase of gallium oxide (?-ga2o3) is a new member of the uwbg semiconductor family, which has gained attention in these years rapidly. the purpose of this article is to present a review study on the introduction of semiconductors and compare the performance of various types of ultrawide bandgap semiconductors. then, we will investigate the crystal and band structure, dopants and defects, production methods, challenges and opportunities of beta gallia (?-ga2o3) as a promising material.
|
|
Keywords
|
power electronics ,semiconductor ,ultrawide bandgap ,beta galia (?-ga2o3)
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|