مدل سازی فشرده و شبیه سازی گذار عایق به هادی در افزاره مات مبتنی بر vo2

افزاره مات دارای قابلیت گذار عایق به فلز در پاسخ به محرک خارجی از جمله دما یا ولتاژ می‌باشد و می‌توان از این پدیده برای کاربرد‌های مختلف از جمله محاسبات نورومورفیک استفاده کرد. در این مقاله ابتدا شبیه سازی گذار عایق به هادی بر مبنای مدل الکتروترمال نیمه کلاسیک در یک لایه دی اکسید وانادیوم و با فرض وابستگی عرض باند ممنوعه به دما انجام می‌شود، سپس یک مدل فشرده از گذار عایق به هادی ارائه می‌شود که در آن اثر ولتاژ روی دما و هدایت الکتریکی در آرایه ای از سلول ها مبتنی بر گرمایش ژول مدل سازی شده و در محیط شبیه ساز -advanced design system مورد ارزیابی قرار می‌گیرد. مدل دوم از نظر محاسباتی ساده تر بوده و سرعت پردازش بالاتری دارد و به خوبی می‌تواند رفتار غیرخطی افزاره را شبیه سازی کند. اعتبار هر دو مدل با مقایسه نتایج آنها با داده‌های تجربی مورد ارزیابی قرار گرفته است. مدل ارائه شده قابلیت به‌کارگیری برای توسعه پردازنده های نورومورفیک و به طور خاص شبیه سازی نورون های شلیکی با افزاره مات را فراهم می‌کند.