|
|
|
|
بررسی امکانسنجی استفاده از نانولولههای p2sis، as2gese و as2gete در نسل جدید ترانزیستورها
|
|
|
|
|
|
|
|
نویسنده
|
بهزادی پروین
|
|
منبع
|
شيمي و نانوشيمي - 1403 - دوره : 3 - شماره : 2 - صفحه:20 -24
|
|
چکیده
|
این پژوهش با استفاده از روش ابتدا به ساکن در چارچوب نظریۀ تابعی چگالی و توسط بسته محاسباتی کوانتوم اسپرسو در تقریب شیب تعمیم یافته انجام شده است. ویژگیهای ساختاری همچون ثابت شبکه، انرژی کرنش و انرژی نسبی تشکیل و ویژگی الکترونی مانند ساختار نواری برای سه ساختار دستهمبلی نانوورقههای p2sis، as2geseو a2gete و نانولوله این ترکیبات با ساختار دستهمبلی (10،10) مورد بررسی قرار گرفته است و با توجه به ویژگیهای الکتریکی منحصر به فرد نانولوله این ترکیبات در ترانزیستورها، ویژگیهای الکتریکی آنها با نانولوله کربنی مقایسه شده است. همچنین برای نانولوله a2gete به ازای ساختارهای دستهمبلی (4،4)، (6،6)، (8،8) و (10،10) ساختار نواری رسم گردیده است و در ادامه ساختار نواری نانوورقههای p2sis، as2gese و a2gete با ساختار نواری گرافن مقایسه گردیده است. نتایج به دست آمده نشان میدهد که ساختار نواری نانوورقهها و نانولولههای این ترکیبات، گاف نواری را به دست میدهد. بنابراین همه ترکیبات ذکرشده، نیمرسانا میباشند. همچنین از بررسی قطرهای مختلف نانولولههای دستهمبلی ترکیب a2gete، ساختارهای نواری بسیار نزدیک به یکدیگر به دست آمده است. که این موید گاف نواری تقریباً یکسانی به ازای قطرهای مختلف برای نانولوله a2gete ست. دو عامل نیمرسانایی و ثابت ماندن گاف نواری نانولولههای p2sis، as2gese و a2gete دو مزیت مهم استفاده از این نانولولهها به جای نانولولههای کربنی در ترانزیستورها است.
|
|
کلیدواژه
|
نانولوله، نانوورقه، ترانزیستور،mosfet
|
|
آدرس
|
شرکت تولید و بهرهبرداری سد و نیروگاه دز, ایران. دانشگاه صنعتی جندی شاپور, دانشکده علوم پایه, گروه فیزیک, ایران
|
|
پست الکترونیکی
|
p.behzadi13425@yahoo.com
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
investigating the feasibility of using p2sis, as2gese and as2gete nanotubes in the new generation of transistors
|
|
|
|
|
Authors
|
behzadi parvin
|
|
Abstract
|
this research has been done using the first-to-static method in the framework of the density functional theory and by the quantum espresso computing package in the generalized slope approximation. structural properties such as lattice constant, strain energy and relative energy of formation and electronic properties such as band structure for three stack structures of p2sis, as2gese and as2gete nanosheets and nanotubes of these compounds with stack structure (10,10) have been investigated and according to the electrical characteristics the unique nanotube of these compounds in transistors, their electrical properties have been compared with carbon nanotube. also, for as2gete nanotubes, a band structure has been drawn for (4,4), (6,6), (8,8) and (10,10) structures, and then the band structure of p2sis, as2gese and as2gete nanosheets with a band structure has been drawn. graphene has been compared. the obtained results show that the band structure of nanosheets and nanotubes of these compounds gives the band gap. therefore, all the mentioned compounds are semiconductors. also, by examining different diameters of as2gete composite nanotubes, strip structures very close to each other have been obtained. this confirms the nearly identical band gap for different diameters for as2gete nanotubes. semiconductivity and band gap stability of p2sis, as2gese and as2gete nanotubes are two important advantages of using these nanotubes instead of carbon nanotubes in transistors.
|
|
Keywords
|
nanotube ,nanosheet ,transistor ,mosfet
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|