اثر ناخالصی آهن بر خواص اپتیکی و ساختاری لایه های نازک مس سلنید

در این کار، اثر ناخالصی fe بر لایه‌های نازک نانوساختار cuse در طی فرآیند رسوب گذاری مورد بررسی قرار گرفته است. ناخالصی fe وارد شده در نانوساختار cuse با غلظت‌های مختلف 0.01، 0.02 و 0.03 مول به روش رسوب گذاری محلول شیمیایی ساده ساخته شده است. با وارد کردن ناخالصی fe با غلظت‌های مختلف به cuse باعث ایجاد گذارهای جدیدی مربوط به fese در آن می‌شود که گاف نواری متعددی در نمونه می‌توان مشاهده نمود. طیف جذبی برای تعیین فاصله‌ی باند انرژی روش fesem و edax برای آنالیز عنصری استفاده شده است. در بسیاری از نمونه‌ها دو انتقال به دلیل نقش آهن در cuse وجود دارد بنابراین، انتقال‌های نوریدو گاف نواری مربوط به fese و cuse هستند. یک روش واقعی برای تعیین انرژی شکاف نواری بدون در نظر گرفتن مفروضات مربوط به ساختار نیمه‌رسانا ضروری است که مدل tauc روشی مناسب برای تعیین فاصله گاف نواری است. همچنین از طیف جذبی نمونه‌ها می‌توان انرژی اورباخ را بدون نیاز به تعیین ضریب جذب با توجه به ضخامت لایه‌ها مشخص کرد.

effect of fe impurity on optical and structural properties of cuse thin films

in this work, the effect of fe impurity on cuse nanostructured thin films during the deposition process has been investigated. the fe impurity introduced into the cuse nanostructure with different concentrations of 0.01, 0.02, and 0.03 mol was made by a simple chemical solution precipitation method. introducing fe impurity with different concentrations to cuse creates new transitions related to fese in which many band gaps can be observed in the sample. fesem and edax methods for elemental analysis have been used for absorption spectrum to determine energy band distance. in many samples, there are two transitions due to the role of iron in cuse, therefore, the band gap transitions are related to fese and cuse. a realistic method to determine the band gap energy without considering the assumptions related to the semiconductor structure is necessary, and the tauc model is a suitable method to determine the band gap distance. also, from the absorption spectrum of the samples, the auerbach energy can be determined without the need to determine the absorption coefficient according to the thickness of the layers.