مطالعه نانومیله‌های اکسید روی خالص و دوپ شده با نیکل به روش لایه نشانی لیزر پالسی

در این مقاله، نانوساختار میله‌ای شکل اکسید روی اولیه و دوپ شده با ذرات نیکل روی زیر لایه سیلیکون، به روش لایه نشانی لیزر پالسی (pld) رشد داده شد. ویژگی‌های مورفولوژی، اپتیکی و الکتریکی نمونه‌ها با تکنیک‌های مختلف بررسی شد. تصویر مورفولوژی سطح زیر لایه نشان می‌دهد که نانومیله‌ها در جهت‌های کاتوره‌ای رشد یافته‌اند. ویژگی‌های اپتیکی مانند، میزان عبور نور، شکاف باند و فوتولومینسانس نمونه‌ها انجام شد. افزایش شکاف باند از 3.18 به 3.26 الکترون ولت و همچنین افزایش میزان عبور نور در نمودار اکسید روی دوپ شده با نیکل مشاهده می‌شود.طیف فوتولومینسانس (pl) نمونه‌ها برای مطالعه عیوب در ساختارهای رشد داده شده، انجام گرفت. در طیف pl نمونه‌ها، دو قله 410 و 482 نانومتر نمایان است، که می‌تواند ناشی از تهی جای اکسیژن باشد. همچنین، عیوبی مانند تهی جای اکسیژن با توجه به قله‌های نمودار رمان (raman)، قابل مشاهده است. در نمودار رسانندگی بر حسب دما، برای دماهای بالای 300 درجه سانتیگراد، افزایش رسانندگی و حامل‌های بار قابل توجه است.نتایج نشان می‌دهد که اکسید روی دوپ شده با ذرات نیکل، ویژگی‌های اپتیکی zno را افزایش داده و کاندیدای مناسبی برای کاربردهای اپتیکی - الکتریکی است.

study of pristine and ni-doped zno nanorods synthesized by pulse laser deposition

in this work, pristine and ni-doped zno nanopods were deposited on silicon substrate by pulsed-laser deposition (pld) machine. the morphogical, optical and electricl properties of ni-doped zno nanopod films were examined using various techniques. sem images of the surface of the samples showed that the nanorods grew in a randomly oriented manner on the substrate. the optical study conducted to investigate the transmittance (t), band gap (eg) and photoluminace of ni doped zno. an increase in the band gap from 3.18 to 3.26 electron volts, as well as an increase in light transmission, observed in the diagram of nickel-doped zinc oxide.photoluminescence (pl) spectroscopy measurements carried out to study the defects in grown thin films. the spectrum exhibited two characteristic emission peaks around 410 and 482 nm, which may be due to oxygen vacancy. additionally, defects such as oxygen vacancies are observable based on the peaks in the raman spectrum. in the conductivity vs. temperature graph, for temperatures above 300 degrees celsius, there is a significant increase in conductivity and charge carriers.the results indicate that ni doping enhanced the optical charactteristics of the zno thin film and would be suitable candidates for optoelectric applictions