ترابرد الکتریکی در یک سیم کوانتومی ga1-xalxas در حضور برهمکنش الکترون- فونون

در این مقاله، با استفاده از رهیافت تابع گرین خواص ترابرد الکتریکی یک ساختار متجانس شبه یک بعدی مبتنی بر  (مانند سیم کوانتومی) در حضور برهمکنش الکترون- فونون به طور نظری مطالعه می شود. برای این منظور، ساختار مورد نظر با طول محدود  را بین دو الکترود نیم بی نهایت فلزی در نظر می گیریم. با استفاده از هامیلتونی این ساختار در چارچوب تقریب بستگی قوی، ضریب عبوردهی الکترون را در رهیافت تابع گرین در غلظت های مختلف al و طول های متفاوت سیم کوانتمی ناحیه میانی به دست می آوریم. برای مطالعه اثر الکترون- فونون، یک نیروی واداشته تابع مکان و زمان را به هر اتم در یک زنجیره ی خطی در تقریب هماهنگ در نظر می گیریم. جابجایی هر اتم در انرژی پرش آن با همسایه ها موثر است. نتایج محاسباتی این مقاله می تواند به درک ما از برهمکنش الکترون - فونون و تاثیر آن در خواص ترابرد الکتریکی کمک کند.

electrical transport in a ga1-xalxas quantum wire in the presence of electron-phonon interaction

in this paper, using the green's function approach, the electrical transportproperties of a quasi-one dimensional hetero structure based on the gaas(such as quantum wire) are theoretically studied in the presence of theelectron-phonon interaction. in this regards, we consider the desiredstructure with finite length between two semi-infinite metallic electrodes.using the hamiltonian of the system, in the strong dependencyapproximation framework, we obtain the electron transmission coefficientin the green's function approach in different concentrations of al anddifferent lengths of the quantum wire in the middle region. in order toinvestigate the electron-phonon effects, we consider a time and spacedependent external field which is applied on each atoms in a linear chainwithin the harmonic approximation. the displacement of each atom iseffective in its hopping energy with its neighbors. the numerical results ofthis paper can help our understanding of electron-phonon interaction andits impacts on the electrical transport properties.