مدل سازی ترانزیستور اثر میدانی گرافینی با کانال شامل دو نقطه‌ کوانتومی جفت شده

در این مقاله یک نوع ترانزیستور گرافینی اثر میدانی جدید با ترابرد تونل‌زنی تشدیدی معرفی و مدل‌سازی می-شود که برای بسیاری از ساختارهای غیرگرافینی دوبعدی مسطح هم که دارای نوار ممنوعهانرژی هستند قابل کاربرد است. همانند سایر ترانزیستورهای اثر میدانی بر پایه‌ی گرافین، جریان، از طریق نوار دو بعدی گرافینی برقرار می‌شود. اما در اینجا، با انتخاب منبع و درین نوع p و نیزهندسه‌ی ویژه‌ی الکترود گیت، کانال گرافینی، به دو نقطه کوانتومی تبدیل می‌شود که به‌‌صورت سری به هم متصل‌اند. شدت جفت‌شدگی بین دو نقطه کوانتومی و اندازه ی این نقاط، مشخصه‌ی جریان کانال را تعیین می‌کنند. تونل‌زنی تشدیدی در مشخصه جریان-ولتاژ سیستم، مشاهده می‌شود.

modeling graphene-based resonant tunneling filed effect transistor with two coupled quantum dots

in this paper, a new graphene-based field effect transistor (fet) with resonant tunneling transport is introduced and modeled which is also applicable for many other non-graphene, flat two dimensional structures with energy gap. as like other graphene-based fets, the current passes through semiconducting 2d gnr. but here by adopting p-type source and drain as well as a special geometry of gate contact, the gnr channel is turned into two coupled quantum dots in series. the coupling between dots and sizes of dots determine the current characteristic of the device. resonant tunneling is observed in current-voltage characteristic of the device.