القای مغناطیسی قابل تنظیم تک لایۀ 1t-nite2 از طریق الایش اتمی فلزات واسطه v ،cr ،mn و fe

القای مغناطش در مواد دو بعدی دی کالکوژنید از پتانسیل‌های بالقوه این مواد در ساخت وسایل اسپینترونیکی می‌باشد.با بکارگیری محاسبات اصول اولیه و با استفاده از تکنیک دوپینگ فلزات واسطه 3d به بررسی خاصیت مغناطیسی تک لایه دی کالکوژنید 1t nite2 پرداخته شد.نتایج نشان می‌دهد که دوپینگ فلزات واسطه میانی v ،cr ،mn و fe ساختار را مغناطیسی می‌کند. بیشترین و کمترین مقدار مغناطش القا شده بترتیب مربوط به اتم cr و اتم fe می‌باشد. اتم cr با اتم‌های نیکل مجاور پوشش فرومغناطیس (fm) و با اتم‌های تلورید هیبرید انتی فرومغناطیس (afm) برقرار می‌کنند. در حالی که اتم fe با اتم‌های نیکل و تلورید مجاور هیبرید انتی فرومغناطیس دارند که باعث می‌شود مغناطش کمتری در ساختار ایجاد شود.

tunable magnetic induction of 1t-nite2 monolayer via v, cr, mn and fe transition metals atomic doping

the induction of magnetization in two dimensional dichalcogenide materials is one of the potentials of these materials in the manufacture of spintronic devices. using basic principles calculations and using the 3d transition metal doping technique, the magnetic property of the single layer dichalcogenide 1t nite2 was investigated. results it shows that doping transition metals v, cr, mn, and fe magnetize the structure. the highest and lowest values of induced magnetization are related to the cr atom and fe atom, respectively. cr atoms form a ferromagnetic (fm) coating with adjacent nickel atoms and an antiferromagnetic (afm) hybrid with telluride atoms. while the fe atom has hybrid antiferromagnetism with nearby nickel and telluride atoms, which motivates less magnetization in the system.