بررسی مدهای نقص در بلور فوتونی سه لایه‌ای تک‌بُعدی متقارن

این مقاله به بررسی بلور فوتونی سه لایه‌ای تک بُعدی (1-dtpc) با هندسه متقارن پرداخته است. حالت‌های نقص برای قطبش میدان الکتریکی عرضی و میدان مغناطیسی عرضی با تغییر طول موج بررسی می‌شوند. در این حالت، دو قله تشدید در نوار گاف فوتونی (pbg) وجود دارد که مربوط به حالت نقص است. در قطبش میدان الکتریکی عرضی، با افزایش زوایای فرودی، حالت‌های نقص به سمت طول موج کوتاه‌تر و در قطبش میدان مغناطیسی عرضی به سمت طول موج بزرگ‌تر منتقل می‌شوند. ارتفاع مدهای نقص به زوایای فرودی ارتباطی ندارد. با افزایش تعداد سلول‌های واحد، پهنای حالت‌های نقص کاهش می‌یابد و این افزایش در موقعیت مکانی حالت نقص تاثیری ندارد. علاوه بر این، با افزایش ضریب شکست لایه نقص، حالت‌های نقص به سمت مرکز نوار گاف برای قطبش‌های میدان الکتریکی عرضی و میدان مغناطیسی عرضی منتقل می‌شوند. مد نقص با طول موج کوتاه‌تر سریع‌تر از مد نقص با طول موج بزرگ‌تر جابه‌جا می‌شود. همچنین با افزایش ضخامت لایه نقص، مدهای نقص به سمت طول موج بزرگ‌تر جابه‌جا می‌شوند.