بررسی خواص الکترونی، مغناطیسی و اپتیکی آلیاژ نیم-هویسلر PtFeBi و سطوح (001) آن به روش نظریه تابعی چگالی

با این فرض که آلیاژ نیم هویسلر ptfebi می‌تواند در وسایل اسپینترونیک و اپتوالکترونیک به کار رود، با استفاده از محاسبات اصول اولیه بر پایه نظریه تابعی چگالی (dft) با تقریب گرادیان شبه تعمیم یافته (gga)، خواص الکترونی، مغناطیسی و اپتیکی آلیاژ نیم- هویسلر ptfebi در حالت بالک و سطوح (001) و برای پایانش‌های febi و ptpt مورد مطالعه قرار گرفت. قطبش اسپینی در سطح فرمی برای بالک عدد %7/77- و برای پایانش‌های febi و ptpt به ترتیب اعداد %5/70- و %2/70- به دست آمد. بخش حقیقی تابع دی‌الکتریک برای نور فرودی در هر دو راستای xx و zz برای انرژی‌های بیشتر از 8 ev برای هر دو پایانش یاد شده، مشابه هم هستند و برای انرژی‌های بیشتر از 15 ev به عدد یک همگرا شده‌اند که نشان می‌دهد این پایانش‌ها به عنوان یک عایق ایزوتروپیک رفتار می‌کنند. همچنین ضریب شکست برای انرژی‌های بیشتر از7.5 ev کمتر از عدد یک شده که معرف پدیدۀ فوق‌العاده درخشان است.