ساخت و مشخصه یابی فوتوسنسور های مبتنی بر کادمیوم سولفید

لایه نشانی نیمه رسانای cds با استفاده از روش الکترودپوزیشن بر زیر لایه fto برای ساخت قطعات فوتوسنسور انجام شد. لایه های تولید شده فاز نانو کریستالی داشته و دارای سطحی بسیار صاف و هموار بودند. ساختار و مورفولوژی لایه ها با ضخامت مختلف بررسی شد. تاثیر ضخامت بر مقاومت تاریکی و روشنایی و حساسیت نوری لایه ها (r photo/r dark) بررسی شد. رفتار لایه ها و زمان پاسخدهی آنها در مقابل شرایط خاموشی و روشنایی اندازه گیری شده و در مورد نتایج بدست آمده بحث شد.