ارزیابی اثرحرارت،اغتشاش و نویز در تمام جمع کننده های مبتنی بر روشgdi

در این مقاله، توجه خود را به تمام جمع‌کننده‌های مبتنی بر روش gdi محدود می‌کنیم، مدارهایی که معمولاً در مدارهای پرسرعت استفاده می‌شوند و بیشتر در معرض نویز هستند. تاکنون بررسی جامعی در مورد مصونیت در برابر نویز و تغییر دمای محیط تمام جمع‌کننده‌های مبتنی بر روش gdi ارائه نشده و اکثر مقالات طرح پیشنهادی خود را با سایر تمام جمع‌کننده‌ها مقایسه کرده‌اند که عمدتاً مبتنی بر روش gdi نیستند. این سلول‌های تمام جمع کننده با شبیه‌سازی‌های مختلفی از قبیل تغییر ولتاژ تغذیه، تغییر بار خازنی، تغییر دمای محیط و تغییرات ناشی از فرآیند، ولتاژ تغذیه و دما (pvt) در فناوری 45 نانومتر cmos مورد ارزیابی قرار گرفتند. منحنی مصونیت در برابر نویز (nic) برای سلول‌های تمام جمع کننده استخراج شد تا سلول‌های تمام جمع کننده با عملکرد بهتر مشخص شوند. بهره نویز واحد (ung)‌ نیز برای ارزیابی نویز بررسی شد. در نهایت مقایسه‌ای جامع از لحاظ تاخیر انتشار، توان مصرفی، حاصل‌ضرب توان-تاخیر (pdp)، سوئینگ، حساسیت در برابر تغییرات فرآیند و نویز برای تمام جمع کننده‌های مبتنی بر روش gdi انجام شد. نتایج به‌دست‌آمده می‌تواند در تصمیم‌گیری طراحان مدار مجتمع برای انتخاب ساختار مناسب تمام جمع کننده مبتنی بر روش gdi مفید واقع شود.

evaluation of temperature, disturbance and noise effect in full adders based on gdi method

in this paper, we limit our attention to full adders based on the gdi method, circuits that are commonly used in high-speed circuits and are more prone to noise. so far, a comprehensive review on noise immunity and ambient temperature change of full adders based on the gdi method has not been presented, and most of the studies have compared their proposed design with other full adders, which are mainly not based on the gdi method. these full adder cells were evaluated by various simulations such as supply voltage change, capacitive load change, ambient temperature change and process-voltage-temperature (pvt) changes in 45 nm cmos technology. a noise immunity curve (nic) was derived for full adder cells to identify better-performing full adder cells. the unity noise gain (ung) was also investigated to evaluate the noise. finally, a comprehensive comparison was made in terms of propagation delay, power consumption, power-delay product (pdp), voltage swing, sensitivity to process changes and noise for full adders based on the gdi method. the obtained results can be useful in the decisions of integrated circuit designers to choose the appropriate structure of the full adder based on the gdi method.