|
|
|
|
طراحی تقویت کننده یک طبقه توان بالا و فرکانس بالا در کلاس f با دو ترانزیستور موازیgan برای کاربردهای 2.5ghz
|
|
|
|
|
|
|
|
نویسنده
|
ذبیحی باقر ,علیپرست پیمان ,نصیرزاده ناصر
|
|
منبع
|
مهندسي مخابرات جنوب - 1401 - دوره : 11 - شماره : 44 - صفحه:49 -65
|
|
چکیده
|
در این مقاله یک تقویت‌کننده توان فرکانس بالا در کلاس f مبتنی بر تکنولوژی مدار مجتمع مایکروویو یکپارچه(mmic)طراحی شده است. برای این طرح از پروسه گالیم نیترات با قابلیت تحرک الکترون بالا با فناوری طول گیت 150 نانومتر استفاده شده است. فرکانس مرکزی تقویت‌کننده 2/5 گیگا هرتز است. بیشترین گین توان تقویت‌کننده مورد نظر تقریبا برابر با 12/76db است و در یک طبقه طراحی شده است. در فرکانس مورد نظر بیشترین توان خروجی تقویت کننده توان حدود 39/196dbm در توان ورودی 30dbm است. در بیشترین توان خروجی ، pae حدود 41/25% است که بیشترین مقدار خود را دارد. مساحت نهایی مدار برای جاسازی بر روی تراشه 25/903 میلیمتر در19/346 میلیمتر است. بیشترین مقدارam/pm و am/am به ترتیب برابر 2/38db/deg و 1/66db/db است. برای تقویت‌کننده اعوجاج تداخلی هارمونیک سوم (imd3) حدود 20dbc- در فرکانس مرکزی است. برای طراحی این تقویت‌کننده از تحلیل loadpull نرم افزار ads برای بدست آوردن توان خروجی مناسب استفاده شده است.
|
|
کلیدواژه
|
تقویت‌کننده توان بالا فرکانس بالا، مدارهای مجتمع مایکروویو یکپارچه، پروسه گالیم نیتراید
|
|
آدرس
|
موسسه آموزش عالی سراج, ایران, پژوهشگاه هوافضا, ایران, موسسه آموزش عالی سراج, ایران
|
|
پست الکترونیکی
|
nnasirzadeh@yahoo.com
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
design of one stage class f high power and high frequency power amplifier with two parallel gan transistor for 2.5ghz application
|
|
|
|
|
Authors
|
zabihi bagher ,aliparast peaman ,nasirzadeh naser
|
|
Abstract
|
in this article, high frequency power amplifier is designed based on monolithic microwave integrated circuit (mmic) technology. for this design the process of gan transistors with high electron mobility has been used and its length gate technology is 150nm central frequency of the amplifier is 2.5ghz. the maximum gain of the amplifier is approximately equal to 12.76db and is designed in one stage. at this frequency, the maximum output power of the amplifier is about 39.196 dbm in 30dbm input. in the maximum output power, pae is about 41.25% that this is maximum amount of pae .the final area of the circuit for embedding on the chip is 25.903mm by 19.346mm.the maximum values of am/pm and am/am are 2.38deg/db and 1.66db/db respectively. for the 3-rd intermodulation distortion (imd3) is about -20 dbc at the center of frequency. to design this amplifier, loadpull analysis of ads software was used to obtain the appropriate output power.
|
|
Keywords
|
high power high frequency amplifier ,monolithic microwave integrated circuit ,process of gallium nitride
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|