شبیه سازی و بررسی پارامترهای موثر بر کاهش توان مصرفی در مدارهای ضرب کننده با استفاده از فناوری ترانزیستورهای cnt

در این مقاله، به ارائه یک ضرب‌کننده آنالوگ چهار ربعی مد جریان جدید برپایه ترانزیستور های نانو لوله کربنی می‌پردازیم. مدارهای مجذورکننده جریان که اخیرا  طراحی‌شده است و آینه جریان، که در ولتاژ تغذیه پایین (1v) کار می‌کنند، اجزای اساسی در تحقق معادلات ریاضی هستند. در این پژوهش مدار ضرب‌کننده، با استفاده از فناوری cntfet  ،32 نانو متر طراحی می‌شود و برای معتبر ساختن عملکرد مدار، ضرب‌کننده ارائه‌شده در شبیه‌ساز hspice شبیه‌سازی شده است. نتایج حاصل از شبیه‌سازی نشان می دهد که مدار قابلیت عملکرد مطلوب را تا فرکانس 2 گیگا هرتز ، مصرف توان ماکزیمم  3.7464µw و همچنین دارای thd  0.226043% می باشد.

simulation and investigation of parameters affecting the reduction of power consumption in multiplication circuits using cnt transistor technology

analog multipliers are useful blocks used in implementing functions such as automatic control, modulation, detectors, adaptive filters, and neural networks. in this paper, we present a new four quadratic analog multiplier based on carbon nanotube transistors. newly designed current square circuits and a current mirror, all operating at low voltage (1v), are essential components in realizing mathematical equations. the multiplier circuit is designed using cntfet technology, 32 nm, and the multiplier provided in the hspice simulator is simulated to validate the circuit performance. the simulation results showed that the circuit has the desired performance up to a frequency of 2 ghz and shows a maximum power consumption of 3.7464uw and also has a thd of 0.226043%.