طراحی ماتریس باتلر 8×4 در ساختارsiw با کاهش سطح گلبرگ جانبی در باند فرکانسی 60ghz

در این مقاله، یک ماتریس باتلر 8×4 به منظور کاهش میزان سطح گلبرگ جانبی (sll)، در ساختار موجبر مجتمع‌شده در زیرلایه (siw)، برای اولین بار در باند فرکانسی 60ghz و با ابعادی فشرده‌تر نسبت به کارهای انجام شده پیشین، طراحی شده‌است. این ساختار می‌تواند گزینه مناسبی برای شبکه‌های شکل‌دهی پرتوی سیستم‌های مخابراتی موج میلیمتری آینده باشد. این شبکه با به‌کارگیری تغییردهنده‌های فاز با خط انتقال مستقیم، فضای بسیار کمتری را نسبت به ساختارهای 8×4 قبلی با تغییردهنده‌های فاز منحنی‌شکل، به خود اختصاص می‌دهد. با روند مرحله به مرحله، دیگر اجزای تشکیل‌دهنده ماتریس باتلر از جمله تقاطع و تزویج‌کننده هایبرید 90 درجه نیز به منظور کاهش اندازه کلی ساختار، طراحی و بهینه شده‌اند. این شبکه دارای پهنای باند وسیع 16/6 درصد در فرکانس طراحی، برای ضرایب بازتاب و ایزولاسیون کمتر از 10db- و بیشترین عدم تعادلی تلف عبوری به اندازه 2/4db است. در پترن تشعشعی آرایه آنتن شکافی تغذیه شده با ماتریس باتلر، سطح sll در فرکانس 60ghz، کمتر از 21/5db- بوده و پهنای پرتو نیم‌توان برای تحریک دهانه‌های 1، 2، 3 و 4، به ترتیب ˚16/3، ˚18، ˚18، ˚16/3 است. جهت‌گیری پرتوهای اصلی این آرایه به سمت ˚15± و ˚45± بوده که ˚108 را پوشش می‌دهند.