>
Fa   |   Ar   |   En
   بهبود ناحیه آسیب‌پذیری فلش ولتاژ در شبکه‌های قدرت با استفاده از قابلیت‌های کنترلی مولدهای فتوولتائیک  
   
نویسنده میرحسینی میترا ,اسماعیلی سعید ,شفیعی بهزاد
منبع يازدهمين دوره كنفرانس شبكه‌هاي هوشمند انرژي - 1400 - دوره : 11 - یازدهمین دوره کنفرانس شبکه‌های هوشمند انرژی - کد همایش: 00210-81851 - صفحه:0 -0
چکیده    مولدهای تولید پراکنده نظیر فتوولتائیک علاوه بر تولید توان اکتیو قابلیت‌های بسیار موثری در تامین توان راکتیو به‌ویژه در شرایطی که ظرفیت توان اکتیو قابل استفاده نباشد دارند. این امر در شرایط بروز خطا و کاهش ولتاژ می‌تواند به بهبود شرایط سیستم، کنترل فلش‌های ولتاژ و بهبود ناحیه آسیب‌پذیری بارهای حساس کمک بسزایی نماید. برای دستیابی به این هدف، در این مقاله از قابلیت‌های مختلف مولدهای فتوولتائیک ازجمله کنترل ضریب توان، کنترل ولتاژ باس pcc و مشخصه دروپ آن‌ها برای مشارکت و تامین توان اکتیو و راکتیو مورد نیاز بارها استفاده شده است. همچنین در این مطالعه محدودیت‌های مولدهای فتوولتائیک در تولید توان راکتیو با توجه به محدودیت‌های مبدل‌های اینورتری آن‌ها در نظر گرفته شده است. سیستم مورد مطالعه ترکیبی از دو شبکه تست ieee است که بار حساس در شبکه توزیع در نظر گرفته شده است. محاسبات ناحیه آسیب‌پذیری با استفاده از digsilent/dpl و بر اساس وقوع فلش ولتاژ در تمامی خطوط هر دو شبکه با روش موقعیت خطای پیشنهادی انجام شده است. نتایج نشان داد که حضور سیستم فتوولتائیک با قابلیت کنترل ولتاژ در نزدیکی بار حساس موجب بهبود قابل ملاحظه ناحیه آسیب‌پذیری و تامین برق بار مورد نظر در صورت بروز خطا در اکثر نواحی سیستم شده است.
کلیدواژه شبکه قدرت، فلش ولتاژ، منابع تولید پراکنده، مولد فتوولتائیک، ناحیه آسیب‌پذیری
آدرس
 
   Improvement of Critical Loads’ Vulnerability Area under Voltage Sag Conditions in Grid Using Control Capabilities of Photovoltaic Generators  
   
Authors
  
 
 

Copyright 2023
Islamic World Science Citation Center
All Rights Reserved