بررسی ساختار گاف نوار فوتونی و ضریب جذب در یک بلور فوتونی سه تایی شامل لایه پلاسمای گرم برخوردی با استفاده از روش ماتریس انتقال

در پژوهش پیش رو انتشار امواج الکترومغناطیسی از بلور فوتونی پلاسمایی سه تایی با استفاده از روش ماتریس انتقال بررسی می شود. در اینجا هر سلول واحد شامل سه لایه ی پلاسما1-دی الکتریک-پلاسما2 در نظر گرفته می شود که پلاسما، در تقریب گرم برخوردی می باشد. جذب و انعکاس امواج الکترومغناطیسی تخت تکفام که بطور عمود بر بلور فوتونی فرود می آیند، بررسی می گردد. همچنین با تغییر پارامترهای مختلف به مطالعه تعداد و پهنای نوارهای گاف و ضریب جذب پرداخته می شود. مشاهده می گردد که با تغییر ویژگی لایه های پلاسما مانند دمای جنبشی الکترونها، فرکانس پلاسمایی و فاکتور اشغال می توان ضریب جذب را تغییر داد و گاف نوار فوتونی را در بازه فرکانسی دلخواه تنظیم نمود.

Investigation of the photonic band gap structure and absorption coefficient in a ternary photonic crystal including warm collisional plasma layer by using transfer matrix method

In the present study, the propagation of electromagnetic waves from ternary plasma photonic crystals is investigated by using transfer matrix method. Here, each unit cell consists of three layers of plasma1-dielectric-plasma2, the plasma being in the warm collisional approximation. The absorption and reflection of monochromatic plane electromagnetic waves perpendicularly incident on photonic crystal, is investigated. Also the number and width of band gaps and absorption coefficients are studied by varying the different parameters. It is seen that by changing the properties of the plasma layers such as electron kinetic temperature, plasma frequency and filling factor, it can be varied the absorption coefficient and the photon band gap adjusted to the desired frequency range.