بررسی ترانزیستور اثرمیدانی باله ای با کانال تک لایه اتمی

یکی از مهم‌ترین تحولات ترانزیستورهای اثرمیدان نیمه هادی اکسید فلز (mosfet ) نسخه سه بعدی آن، موسوم به finfet است که در دهه 1960 اختراع شد. در این نوع ترانزیستورها کانال نیمه رسانا به صورت یک باله‌ عمودی نازک توسط الکترودهای گیت محصور شده است. طی دهه های گذشته، عرض باله در finfet ها از حدود 150 nm به چند nm کاهش یافته است. با این حال، به نظر می رسد عرض باله (wfin) در سال های اخیر به دلیل محدودیت دقت لیتوگرافی، در حال ثابت شدن باشد. در این مقاله نشان می دهیم که با اقتباس از یک روش رشد الگو، چگونه انواع مختلفی از کریستال های دو بعدی تک لایه به صورت عمودی جدا می شوند. بر این اساس، نسبت روشن/خاموش finfet های دارای یک کانال لایه اتمی، تقریبا به ده میلیون می رسد. همچنین محققان یافته‌اند، عرض باله ی finfet به کمتر از 1nm هم می‌رسد و ممکن است فناوری نانوالکترونیک راهی را برای یکپارچه سازی بیشتر و مصرف کمتر انرژی نسل بعدی روشن نماید.