طراحی و شبیه سازی دروازه های منطقی پایه و حافظه با افزاره ترانزیستور دوقطبی پیوندی نیمه هادی اکسید فلز
|
|
|
|
|
DOR
|
20.1001.2.0020135610.1400.4.1.160.3
|
|
نویسنده
|
شکری علیرضا ,امیرمزلقانی مینا
|
|
منبع
|
همايش ملي فناوريهاي نوين در مهندسي برق، مكانيك و كامپيوتر ايران - 1400 - دوره : 4 - چهارمین همایش ملی فناوریهای نوین در مهندسی برق، مکانیک و کامپیوتر ایران - کد همایش: 00201-35610
|
|
چکیده
|
در این مقاله دروازه های منطقی پایه nor و nand بر اساس ترانزیستور دوقطبی پیوندی با فناوری نیمه هادی اکسید فلز (mos_bjt ) طراحی و شبیه سازی شده است. mos_bjt افزاره ای است که با تکنولوژی نیمه هادی اکسید فلز (mos) طراحی می شود و دارای ویژگی های ترانزیستور دو قطبی در ابعاد نانومتری است. برای دروازه های منطقی این مقاله، خازن و مقاومت خروجی، سرعت و power delay product (pdp) بررسی شده است. pdp برای این مدار nand 15-10×1.45 و برای مدار nor 15-10×1.71 ژول است. همچنین سرعت ساختارهای nand و nor به ترتیب ps3.3 و ps5.8 و خارن خروجی به ترتیب ff 0.09 و ff 0.1 و مقاومت خروجی به ترتیب 37 و 55 کیلو اهم محاسبه شده است. همچنین در این مقاله یک حافظه حساس به لبه (sr_latch) با ساختار nand نیز طراحی شده است. تمام شبیه سازی ها در نرم افزار silvaco در قسمت mixed-mode انجام شده است.
|
|
کلیدواژه
|
دروازه منطقی ,ترانزیستور دوقطبی پیوندی ,نیمه هادی اکسید فلز ,حافظه
|
|
آدرس
|
دانشگاه تربیت دبیر شهید رجایی, ایران, دانشگاه تربیت دبیر شهید رجایی, ایران
|
|
پست الکترونیکی
|
m.mazlaghani@sru.ac.ir
|
|
|
|
|
|
|