مروری بر فناوری‌ ترانزیستور اثر میدانی سیلیکون روی عایق و کاربرد آن در مدارات یکپارچه فرکانس رادیویی و موج میلی‌متری

در این مقاله به مرور فناوری soi پرداخته شده است. ترانزیستور‌های soi روی یک لایه 100 نانومتری از سیلیکون ساخته ‌شده است و در بالای یک لایه دی‌اکسید سیلیکون به اسم اکسید مدفون قرار‌دارد. این لایه اکسید‌ دی‌الکتریک ترانزیستور را فراهم می‌کند و بنابراین بیشتر اثرات ‌مخرب موجود در ترانزیستور‌های حجیم را از بین می‌برد. ساختار ترانزیستور‌های soi که بسیار شبیه به ترانزیستور حجیم هستند شرح شده‌است. تفاوت اصلی آن‌ها وجود اکسید مدفون‌ است که خصوصیات جذابی را برای soi فراهم می‌کند. soi یک موفقیت بزرگ بود، زیرا تولید تراشه را یک یا دو سال جلوتر از سیلیکون حجیم پیشرفت می‌دهد. لذا در این متن شرح گام‌به‌گام در مورد تحولات منتهی به توسعه فناوری soi ارائه شده و در زمینه تکنولوژی‌های سیلیکون روی عایق از ساخت ویفر، عملکرد آن، شکل و آرایش هندسی افزاره‌های soi و آینده آن و مقیاس‌پذیری ترانزیستور‌های soi ، فناوری نانو و استفاده از آنها در کاربردهای ارتباط از راه دور با فرکانس بالا مروری صورت می‌گیرد. در سطح ترانزیستور، به لطف ساختار با پارازیتی کمتر و ویژگی های الکترواستاتیکی خوب، فرکانس‌های نوسان بالا و قطع در ردیف 400 گیگاهرتز حاصل می‌شود. در سطح rf-ic موقعیت soi در مدارهای اصلی rf مانند کلیدها، lna و pa و سرانجام تاثیر زیر لایه بر فرکانس‌های rf تشریح می‌شود. soi نامزد اصلی جانشینی برای کاربردهای موج میلی‌متری با عملکرد بالا و نسل پنجم و همچنین برای تجهیزات اینترنتی کم مصرف rf معرفی شده است.