ترانزیستورهای اثر میدانی نانولوله کربنی: بررسی مزایا، چالش ها و کاربرد ها

امروزه با توجه به نیاز روز افزون افزایشی به تراشه هایی با ابعاد کوچکتر استفاده از ترانزیستورها در ابعاد میکرو و نانو در صنعت الکترونیک تبدیل به امری ضروری شده است همچنین در دهۀ گذشته، تاکید طراحان مدارات مجتمع، حرکت به سمت فناوری نانو به جهت مصرف توان کم و پردازش سریعتر بوده است. به همین جهت محققین به دنبال جایگزینی برای ترانزیستورهای معمولی هستند تا بتوانند طبق نظریۀ مور در یک تراشه، چندین میلیارد ترانزیستور در ابعاد نانو قرار دهند. ترانزیستور اثر میدان نانو لوله کربنی که به اختصار cntfet گفته می شود؛ به خاطر تشابه ساختاری با ترانزیستورهای مبتنی با سیلیکون، افزایش قدرت سوئیچینگ، توان مصرفی کمتر و بازده بالاتر جایگزین مناسبی برای نسل پیشین ترانزیستورها می باشد. در این مقاله نخست به معرفی cnt و مزیت های آن و اینکه چرا در ساختار ترانزیستور از آن استفاده می شود و سپس به بررسی و تحلیل cntfet و نحوۀ عملکرد انواع مختلف آن خواهیم پرداخت.