طراحی و شبیه سازی یک تقویت کننده کم نویز باند پهن با قابلیت خطی سازی بالا با استفاده از تکنولوژی mµ0.2
|
|
|
|
|
DOR
|
20.1001.2.9819038881.1399.2.1.36.4
|
|
نویسنده
|
یاراحمدی زینب ,الهیاری امین ,ابراهیمی جواد
|
|
منبع
|
همايش ملي پژوهش هاي نوين در مهندسي و علوم كاربردي - 1399 - دوره : 2 - دومین همایش ملی پژوهش های نوین در مهندسی و علوم کاربردی - کد همایش: 98190-38881 - صفحه:1 -10
|
|
چکیده
|
در این مقاله، یک تقویت کننده کم نویز باند پهن با قابلیت خطی سازی بالا ارائه شده است که برای دستیابی به خطی سازی بالا از ساختار پوش پول مکمل استفاده شده است. همچنین برای داشتن تطبیق امپدانس ورودی و خروجی به ترتیب از ساختارهای گیت مشترک ودرین مشترک به عنوان تطبیق فعال استفاده شده است. عدد نویز آن در محدوده فرکانسی 2 تا 6 گیگا هرتز کم تر از 4، بهره حدود db 22.5 می باشد. همچنین تطبیق امپدانس ورودی و خروجی مدار در این محدوده، کم تر از db 10 می باشد. شبیه سازی این مدار درتکنولوژی ed02ah انجام شده است.
|
|
کلیدواژه
|
تقویت کننده کم نویزlna ,uwb ,خطی سازی بالا
|
|
آدرس
|
موسسه آموزش عالی آفرینش علم گستر بروجرد, ایران, موسسه آموزش عالی آفرینش علم گستر بروجرد, ایران, موسسه آموزش عالی آفرینش علم گستر بروجرد, ایران
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|