استفاده از دنباله‌ی فیبوناچی در مدل‌سازی جاذب صوتی رزوناتوری

مواد متعارف جاذب صوت همچون مواد متخلخل و صفحات سوراخ‌دار که در بسیاری از کاربردهای کنترل نوفه از آن ها استفاده می شود دارای عملکرد مناسب در بسامدهای بالا هستند؛ بنابراین طراحی جاذب صوتی که عملکردی مناسب برای بسامدهای پایین داشته باشد بسیار موردنیاز است. بدین منظور در این مقاله برای اولین بار، استفاده از مجموعه ای از رزوناتورهای هلمهولتز با آرایش فیبوناچی پیشنهادشده است. به منظور محاسبه ی ضریب جذب صوتی ساختار پیشنهادشده، از روش مدار معادل الکتروآکوستیکی استفاده‌شده است. برای صحه‌گذاری روش مدار معادل الکتروآکوستیکی، نتایج به‌دست‌آمده با این روش برای ضریب جذب صوتی با نتایج تجربی برای ساختارهای متشکل از یک و چهار رزوناتور مقایسه شده است که تطابق مناسبی را نشان می دهند. نتایج این مقاله نشان می دهند که استفاده از مدل فیبوناچی برای ساختار رزوناتور هلمهولتز باعث افزایش پهنای بسامدی جذب در بسامدهای پایین می‌شود بدون آنکه میزان جذب صوتی را در بسامدهای تشدید کاهش دهد.