|
|
|
|
مطالعه عددی مدهای انتشاری در ساختار دیود نورگسیل پروسکایتی
|
|
|
|
|
DOR
|
20.1001.2.9920081043.1399.1.1.10.5
|
|
نویسنده
|
مروج فرشی محمد کاظم ,یزدانی الناز ,یاراحمدی مرتضی
|
|
منبع
|
همايش نانو فوتونيك ايران - 1399 - دوره : 1 - همایش نانوفوتونیک ایران ۱۳۹۹ - کد همایش: 99200-81043 - صفحه:79 -81
|
|
|
|
|
چکیده
|
در این مقاله، با استفاده از روش عددی عنصر متناهی، یک ساختار دیود نورگسیل تخت، مبتنی بر پروسکایت ch3nh3pbbr3 در طول موج nm 530 شبیه‌سازی شده است. بررسی مدهای انتشاری ساختار، نشان می‌دهد که وجود اختلاف بین ضرایب شکست لایه‌های انتقال‌دهنده و الکترود شفاف، عاملی محدود کننده برای بازده کوانتومی خارجی است. نتایج عددی بدست آمده نمایان می‌سازد که محصور‌شدگی مدها در لایه‌های میانی قابل توجه است. همچنین، مقایسه مدهای مراتب بالاتر از جمله مدهای مرتبه دوم و چهارم با مد اصلی مشخص می‌کند که در مدهای دیگر نیز همچنان این اثر صورت می‌پذیرد.
|
|
کلیدواژه
|
پروسکایت، دیود نورگسیل، بازده کوانتومی خارجی
|
|
آدرس
|
دانشگاه تربیت مدرس, ایران, دانشگاه تربیت مدرس, ایران, دانشگاه تربیت مدرس, ایران
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Numerical Investigation of the propagation modes in the perovskite light emitting diode
|
|
|
|
|
Authors
|
|
|
Abstract
|
Using the finite element numerical method, we have simulated a planar light emitting diode (LED) based on CH3NH3PbBr3 perovskite material at 530 nm wavelength. Analysis of the LED propagating modes shows that the difference between the refractive indices of the carrier transfer layer and the transparent electrode is a limiting factor for the external quantum efficiency. Moreover, the numerical results indicate that the modes are strongly confined in the middle layer. A further study reveals a similar observation for the second and fourth order modes.
|
|
Keywords
|
پروسکایت، دیود نورگسیل، بازده کوانتومی خارجی
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|