رابطه پاشندگی پلاسمون برای محیط پلاسمونیکی با تابع دی الکتریک متغیر
|
|
|
DOR
|
20.1001.2.9920081043.1399.1.1.6.1
|
نویسنده
|
گلزاری ضمیر سعیده ,عبدی کیان علیرضا
|
منبع
|
همايش نانو فوتونيك ايران - 1399 - دوره : 1 - همایش نانوفوتونیک ایران ۱۳۹۹ - کد همایش: 99200-81043 - صفحه:76 -78
|
چکیده
|
در این مقاله، رابطه پاشندگی پلاسمونی در مد tm برای سطح مشترک تخت بین یک محیط دی الکتریک یکنواخت با ثابت εd و یک محیط پلاسمونیکی با تابع دی الکتریک متغیر εp(z) (که در آن z راستای عمود بر سطح مشترک است) به دست می آید. معلوم می شود که این رابطه به مقدار مشتق εp(z) در سطح مشترک بستگی دارد و وقتی که εp مقدار ثابتی باشد و یا مشتق آن در مرز صفر باشد به رابطه شناخته شده برای محیط یکنواخت پلاسمونیکی تبدیل می شود. برای موردی که تابع εp(z) وابستگی خطی به z داشته باشد رابطه پاشندگی به دست آمده ترسیم می گردد. نتایج نشان می دهد که غیر یکنواخت بودن تابع دی الکتریک محیط پلاسمونیکی می تواند آزادی عمل خوبی در کنترل معادله پاشندگی و فرکانس تشدید پلاسمونی در اختیار قرار دهد.
|
کلیدواژه
|
پلاسمون؛ رابطه پاشندگی؛ تابع دی الکتریک متغیر.
|
آدرس
|
دانشگاه ملایر, ایران, دانشگاه ملایر, ایران
|
|
|
|
|
|
|