بررسی میزان بهبود بازده الکتریکی پانل های فتوولتائیک با نانو خنک کاری سیال

امروزه یک راه حل برای رفع نیازهای انرژی، استفاده از سیستم های فتوولتائیک برای تبدیل انرژی خورشیدی به انرژی الکتریکی است. سلول های فتوولتائیک بخش کمی از انرژی تابشی خورشیدی جذب شده را مستقیم به انرژی الکتریکی تبدیل می کنند و بخش زیادی از آن را به صورت انرژی حرارتی هدر می دهند که باعث بالا رفتن دمای سلول ها می‌شود. سلول های فتوولتائیک مهم ترین قسمت سیستم های فتوولتائیک هستند. بازده سیستم های فتوولتائیک با افزایش دمای سلول های فتوولتائیک کاهش می یابد. برای بهبود کارایی و راندمان این سیستم ها باید دمای سلول های فتوولتائیک را تا حد امکان کاهش داد. سیستم های خنک کاری مختلفی از سوی محققین مختلف ارائه شده و به نتایج مختلفی رسیده‌اند. در این پژوهش یک سیستم خنک کاری عبور نانو سیال از پشت پانل، مدل سازی شده و با نتایج آزمایشات دیگر محققان اعتبار سنجی گردید. نتایج اعتبار سنجی با نتایج آزمایشات قبل به خوبی مطابقت داشتند. در این سیستم، نانو سیال درون لوله ها، پشت پانل با دبی مشخص در حال عبور است. نانو سیال پس از عبور از لوله ها به داخل مخزن می ریزد و مجدداً به سیستم باز می گردد. در این پژوهش اثر پارامترهای گوناگون بر عملکرد سیستم به منظور بهینه‌سازی کارایی آن بررسی شده است. نتایج حاصل از مدل سازی نشان می دهد که راندمان و توان خروجی پانل با استفاده از سیستم خنک کاری، افزایش قابل توجهی داشته است.